開關電源作為運用于開關狀(zhuang)況的能量轉化設(she)備，開關電源的電壓、電流改變率(lv)很(hen)高(gao)，所以產生的干擾強度也比(bi)較大。

干擾(rao)源主要會集在(zai)功率(lv)開關期間以及與之相連(lian)的(de)(de)(de)散熱器和高平變壓(ya)器，相關于數(shu)(shu)字電(dian)路干擾(rao)源的(de)(de)(de)方位較(jiao)為清楚。開關頻率(lv)不高（從幾十千赫(he)和數(shu)(shu)兆赫(he)茲(zi)），主要的(de)(de)(de)干擾(rao)形(xing)式是傳導干擾(rao)和近場干擾(rao)。而印刷線(xian)路板（PCB）走線(xian)通常選用手工布(bu)(bu)線(xian)，具有(you)**的(de)(de)(de)隨意性(xing)，這增加了 PCB 散布(bu)(bu)參數(shu)(shu)的(de)(de)(de)提取和近場 干擾(rao)估(gu)量(liang)的(de)(de)(de)難度(du)。

1MHZ 以內：以差(cha)模(mo)干擾為主，增(zeng)大 X 電容就可處理；

1MHZ—5MHZ：差(cha)模共模混合(he)，選用輸入端并一系列X電容來濾除差(cha)摸干擾并分(fen)析出是哪種干擾超支并處理;

5M：以上以共(gong)摸干(gan)擾為主，選用(yong)抑制共(gong)摸的辦(ban)法。關于(yu)外殼接地的，在地線上用(yong)一個磁盤繞2圈(quan)會(hui)對10MHZ以上干(gan)擾有較(jiao)大的衰減（diudiu2006）;

關于25--30MHZ不過能夠選用加大對地Y電(dian)容、在(zai)變(bian)壓(ya)器外面(mian)包銅(tong)皮、改變(bian)PCBLAYOUT、輸出(chu)線前面(mian)接(jie)一個(ge)雙線并(bing)繞(rao)的小(xiao)磁環(huan)，最少繞(rao)10圈、在(zai)輸出(chu)整(zheng)流管兩頭并(bing) RC 濾波器。

30—50MHZ：遍及是 MOS 管高速注冊關斷引起，能夠用增大MOS驅(qu)動電阻(zu)，RCD緩沖(chong)電路選(xuan)用 1N4007慢管，VCC供電電壓用 1N4007慢管來處理。

100—200MHZ：遍及是輸出整流(liu)管反向恢復電(dian)流(liu)引起，能(neng)夠在(zai)整流(liu)管上串(chuan)磁珠

100MHz—200MHz：之間大部分(fen)出于 PFCMOSFET及(ji)PFC二(er)極管，現在MOSFET及(ji)PFC二(er)極管串磁珠有作用(yong)，水平方向(xiang)基本能夠處理問(wen)題，但筆直方向(xiang)就沒辦法了。

開關電源的輻(fu)射一般(ban)只會(hui)影響到 100M 以(yi)下的頻段。也能(neng)夠在 MOS，二(er)極管上(shang)加相(xiang)應吸(xi)收回路，但效率會(hui)有所下降。

設計開關電源時防止 EMI 的措施

1.把噪音電路節點的(de) PCB 銅箔面積**極(ji)(ji)限地減小;如開關(guan)管的(de)漏極(ji)(ji)、集電極(ji)(ji)，初次(ci)級繞組的(de)節點，等(deng)。

2.使輸入和輸出端遠(yuan)離噪音元件(jian)，如變(bian)壓器線包，變(bian)壓器磁芯，開關管(guan)的散熱片，等(deng)等(deng)。

3.使噪音元件(jian)（如未(wei)遮蓋的(de)變(bian)壓器線包，未(wei)遮蓋的(de)變(bian)壓器磁芯，和開(kai)關(guan)管，等(deng)(deng)等(deng)(deng)）遠(yuan)離(li)外(wai)殼邊際，因(yin)為(wei)在正常操作(zuo)下外(wai)殼邊際很可能靠近外(wai)面的(de)接地線。

4.如(ru)果變壓器沒有運用(yong)電(dian)場屏(ping)蔽，要堅持屏(ping)蔽體和散熱片遠離變壓器。

5.盡量減小以下電流(liu)環的(de)面積：次級(ji)（輸(shu)出）整流(liu)器(qi)，初級(ji)開關功率器(qi)材，柵極(ji)（基極(ji)）驅動線路，輔佐(zuo)整流(liu)器(qi)。

6.不要將門極（基(ji)極）的驅動返饋環路(lu)和初級開(kai)關電(dian)(dian)路(lu)或(huo)輔佐整(zheng)流電(dian)(dian)路(lu)混在一同。

7.調整優化阻尼(ni)電阻值(zhi)，使(shi)它在開關的(de)死區時間里不產生振鈴(ling)響聲。

8.防(fang)止 EMI 濾波電(dian)感飽滿(man)。

9.使拐彎節(jie)點和次級電路的元件遠離初級電路的屏(ping)蔽體或(huo)許開關(guan)管的散(san)熱片。

10.堅持初級電(dian)路的擺動的節點和元件本體(ti)遠離(li)屏蔽(bi)或(huo)許散熱片(pian)。

11.使高頻輸(shu)入的 EMI 濾波器(qi)靠近(jin)輸(shu)入電纜(lan)或許連接器(qi)端。

12.堅(jian)持高頻(pin)輸(shu)出(chu)的(de) EMI 濾波器(qi)靠(kao)近輸(shu)出(chu)電線(xian)端子(zi)。

13.使 EMI 濾(lv)波器(qi)對面的 PCB 板(ban)的銅箔和元(yuan)件本體之間堅持一定距離。

14.在輔佐(zuo)線圈的整流器的線路(lu)上放(fang)一些電阻(zu)。

15.在磁棒線圈上并聯(lian)阻尼電(dian)阻。

16.在輸出 RF 濾波(bo)器兩頭(tou)并聯阻尼電阻。

17.在 PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷電(dian)容器或許還能夠(gou)是一串(chuan)電(dian)阻，跨接(jie)在變壓器的(de)初(chu)級(ji)的(de)靜(jing)端和輔佐繞組之間。

18.堅持(chi) EMI 濾波器遠離功率變(bian)壓器;尤其(qi)是防止定位在繞(rao)包的端部。

19.在 PCB 面積(ji)滿足的情況下，可在 PCB 上留(liu)下放屏蔽繞組用的腳(jiao)位(wei)和放 RC 阻尼器的方位(wei)，RC 阻尼器可跨(kua)接在屏蔽繞組兩頭。

20.空間答應的話在開關功率場效應管的漏(lou)極(ji)和門極(ji)之間放一個小(xiao)徑(jing)向引線電(dian)(dian)容(rong)器(qi)（米勒電(dian)(dian)容(rong)，10 皮法/1 千伏電(dian)(dian)容(rong)）。

21.空間答應的話放(fang)一個小(xiao)的 RC 阻尼器在直流輸出(chu)端。

22.不要把 AC 插(cha)座與初級開關管的散熱片靠在一同。